压电薄膜材料的性能分别有以下几点：1、介电常数，虽然压电薄膜为单晶薄膜或者为择优取向的多晶薄膜，但是在其中的原子堆积却不像在晶体中那样紧密和有序，因此压电薄膜的介电常数值与晶体的数值有差异。除此之外，还有在薄膜中常有的较大的残留内应力以及测量上的原因，也导致薄膜的介电常数值不同于晶体的相应数值。

压电薄膜的制备方法主要有传统的真空镀膜方法，包括真空蒸发镀膜、溅射镀膜、化学气相沉积镀膜是制备厚度在0～18μm，新型溶胶凝胶法、水热法、电泳沉积法是制备10～100μm的压电厚膜材料。压电厚膜通常是指厚度为10～100μm的压电膜,与薄膜相比,它的压电、铁电性能较少受界面、表面等的影响；由于它的厚度比较大，所以这种材料也能产生大的驱动力,且具有更宽的工作频率；与块体材料相比，其工作电压低、使用频率高、与半导体工艺兼容。

压电薄膜的主要优点分别有：（1）质量轻，它的密度只有常用的压电陶瓷PZT的四分之一，粘贴在被测物体上对原结构几乎不产生影响，高弹性柔顺性，可以加工成特定形状可以与任意被测表面完全贴合，机械强度高，抗冲击；